obsah	download	reakce	odkazy	keywords

Druhý díl učebních textů je věnován popisu a částečně též aplikacím hlavních typů polovodičových prvků jako jsou různé typy diod, bipolární a unipolární tranzistory včetně mikrovlnných a výkonových, vícevrstvé spínací součástky. Popisuje též polovodičové součástky bez polovodičového přechodu jako jsou termistory, varistory, Hallova sonda, magnetorezistor, magnetodioda.
Dále jsou zmíněny též elektronky (konstrukce a vlastnosti) jakožto nedílná součást současné moderní a dosud nepřekonané elektroniky nf zesilovačů.

Kniha je určena hlavně jako učebnice pro studenty středních škol, některé kapitoly přesahují obvyklý rozsah látky a umožňují získat pohled na studovanou problematiku z širšího hlediska. Obsahuje užitečné informace také pro návrháře elektronických obvodů.

Celé dílo (5dílná učebnice) je koncipováno jako učební texty pro úroveň průmyslové školy elektrotechnického zaměření, jako je slaboproudá elektronika, počítačové systémy apod. Její hlavní úlohou je na úrovni průmyslové školy poskytnout seznámení s hlavními zásadami řešení elektrických obvodů a dát základní přehled možností využití a řešení moderních elektronických zařízení.
Třebaže jsou texty určeny jako učební pomůcka pro posluchače průmyslových škol, mohou být mnohé pasáže užitečné také pro posluchače vysokých škol a technickým pracovníkům v oboru elektroniky.

Historie vydání

• 1. vydání - 2005 - ISBN 80-7300-161-6
• 1. vydání - 2010 - ISBN 978-80-7300-287-9 (elektronická kniha ve formátu PDF)

Stručný obsah

1. Polovodičové součástky s jedním přechodem PN
2. Tranzistory a polovodičové výkonové a spínací prvky
3. Elektronky
4. Polovodičové součástky bez přechodu PN

Download

• podrobný obsah - ve formátu PDF
• ukázka knihy - ve formátu PDF

• update - zatím žádný není

Recenze lektorů a reakce čtenářů

• Nezávislá recenze na Automatizace.cz (září 2008)

Odkazy

• Moderní učebnice elektroniky - 1. díl
• Moderní učebnice elektroniky - 2. díl (právě zobrazeno)
• Moderní učebnice elektroniky - 3. díl
• Moderní učebnice elektroniky - 4. díl
• Moderní učebnice elektroniky - 5. díl
• Moderní učebnice elektroniky - 6. díl

• www.onsemi.cz - ON Semiconductor - světový výrobce polovodičů
• www.jj-electronic.sk - JJ Electronic - výrobce kvalitních elektronek
• www.doe.cz - DOE - autorizovaný distributor EPCOS

Keywords

• obsah knihy
  POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY S JEDNÍM PŘECHODEM PN, Základní vlastnosti polovodičového materiálu, Vodivost polovodičů, Vlastní polovodiče (intrinsické), Nevlastní polovodiče (extrinsické), Polovodiče typu N, Polovodiče typu P, Vliv teploty na vodivost polovodiče, PN přechod, PN přechod bez přiloženého napětí, PN přechod s přiloženým napětím, Přechod PN polarizovaný v závěrném směru, Přechod PN polarizovaný v propustném směru, Polovodičová dioda, Náhradní zapojení (model) diody, Kapacita a indukčnost PN přechodu diody, Teplotní závislost PN přechodu, Průrazy PN přechodu, Zenerův průraz, Lavinový průraz, Tepelný průraz, Typy diod, Hrotové diody, Plošné diody, Parametry diod, Mezní parametry diody, Provozní parametry diod, Dynamické parametry diod, Typy diod z hlediska funkce, Diody pro všeobecné použití, Usměrňovací diody, Vysokofrekvenční (signálové) diody, Stabilizační a referenční diody, Transil a trisil, Kapacitní diody - varikapy a varistory, Tunelová dioda (Esakiho), PIN dioda, Schottkyho dioda, Příklady obvodů s diodami, Jednocestný usměrňovač, Dvojcestný usměrňovač - zapojení do hvězdy, Graetzovo zapojení dvojcestného usměrňovače, Použití Zenerových diod, TRANZISTORY A POLOVODIČOVÉ VÝKONOVÉ, A SPÍNACÍ PRVKY, Tranzistory, Bipolární tranzistor, Základní uspořádání a princip činnosti bipolárního tranzistoru, Hlavní vlastnosti NPN a PNP tranzistorů v aktivním režimu, Základní zapojení tranzistoru, Proudové zesilovací činitele a a b, Porovnání hlavních vlastností Si tranzistorů NPN a PNP, Statické charakteristiky a parametry bipolárních tranzistorů, Zatěžovací přímka, Hlavní vlastnosti základních zapojení tranzistorů, Čtyřpólové parametry tranzistoru pro malé signály, Teplotní závislost parametrů bipolárních tranzistorů, Důležité mezní parametry bipolárních tranzistorů, Principy využití bipolárních tranzistorů, Tranzistor pracuje v lineárním režimu, Tranzistor ve spínacím režimu v zapojení SE, Darlingtonovo a Sziklaiovo zapojení, Darlingtonovo zapojení, Sziklaiovo zapojení (komplementární Darlingtonovo zapojení), Unipolární tranzistory, Princip tranzistoru řízeného polem, Něco z historie, Základní idea FET, Tranzistory řízené elektrickým polem typu JFET, Princip činnosti, Konstrukční uspořádání JFET, Důležité parametry tranzistorů JFET, Využití tranzistorů JFET, Tranzistory s izolovaným hradlem (IGFET), Tranzistor MOSFET s indukovaným kanálem, Tranzistor typu MOSFET s vodivým kanálem, Teplotní závislost tranzistorů MOSFET, Důležité parametry tranzistorů MOSFET, Mikrovlnné unipolární tranzistory, Tranzistor MESFET, Tranzistor HEMT, Zapojení s unipolárními tranzistory, Unipolární tranzistor jako spínací prvek, Příklady zapojení s tranzistory JFET, Příklady zapojení s tranzistory MOSFET, Model tranzistorů řízených elektrickým polem, Tranzistory MOSFET s dvojitým hradlem (Dual Gate MOS FET), Komplementární MOS technologie (CMOS), Zásady pro manipulaci s tranzistory řízenými elektrickým polem, Porovnání charakteristik tranzistorů řízených polem, Výkonové polovodičové součástky, Výkonové unipolární tranzistory, Výkonové tranzistory JFET a SIT tranzistory, Výkonové tranzistory MOSFET, Buzení výkonových spínacích tranzistorů, Ztrátový výkon PDS výkonových tranzistorů, Některé aplikace výkonových tranzistorů MOSFET, Bipolární výkonové tranzistory, Tranzistory IGBT, Některé důležité parametry tranzistorů IGBT, Porovnání vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů, Průrazy tranzistorů, Průrazy tranzistorů MOSFET, Průrazy bipolárních tranzistorů, Přednosti a nedostatky unipolárních tranzistorů vůči bipolárním, Vícevrstvé spínací polovodičové součástky, Čtyřvrstvé diody (Shockleyovy diody), Tyristory, Důležité parametry tyristoru, Spínání tyristoru, Spínání tyristoru napětím mezi anodou a katodou, Spínání proudovým impulzem do řídicí elektrody, Sepnutí kapacitním proudem, Vypínání tyristoru, Vypínání tyristorů v obvodech střídavého proudu, Vypínání v obvodech stejnosměrného proudu, Dvouhradlový tyristor, Triak, Diak, Vypínací tyristory, Vypínací tyristor GTO, Vypínací tyristory IGCT, MCT - Mos Controlled Thyristor, SiC a GaN tyristory, Elektronky, Princip elektronky, Katoda, Anoda, Dioda, Trioda, Vícemřížkové elektronky, Tetroda, Pentoda, Směšovací elektronky hexoda, Obrazové elektronky - obrazovky, Konstrukční uspořádání obrazovek, Elektronová tryska, Vychylovací obvody elektronového paprsku, Barevné obrazovky, POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY BEZ PŘECHODU PN, Součástky z monokrystalických polovodičů, Hallova sonda, Hallův jev - princip, Polovodičová Hallova sonda, Využití Hallova jevu, Magnetorezistor, Magnetodioda, Součástky z polykrystalického materiálu, Termistory, Termistory se záporným teplotním koeficientem - NTC termistory, Termistory s kladným teplotním koeficientem - PTC termistory, Důležité parametry termistorů, Varistor
• rejstřík knihy
  akceptor, amorfní látka, analogová Hallova sonda, anizotropie, anoda, báze, bipolární vodivost, BJT, princip, diak, difúze, dioda, čtyřvrstvá (Shockleyova), hrotová, kapacitní, model, PIN, plošná, polovodičová, referenční, s přitlačeným hrotem, s přivařeným hrotem, Schottkyho, tunelová, usměrňovací, usměrňovací požadavky, usměrňovací realizace, usměrňovací rychlé, výkonová, vysokofrekvenční, Zenerova, doba zotavení, donor, drain, druhá aktivační teplota, Edisonův jev, EDP, elektrické napětí Hallovo, elektrické pole, vnitřní, elektronvolt, emise elektronů, sekundární, tepelná, emitor, energie aktivační, epitaxe, kapalná, molekulární, plynná, FET, FIR - Far Infrared, Flemingova lampa, generátor Hallův, Graetzovo zapojení, Hallova sonda, Hallův jev, HEMT, heptoda, hexoda, hradlo FET, hybridní parametry, charakteristika, dynamická převodní, převodní dynamická, statická převodní, zatěžovací, ideové uspořádání JFET, IGBT princip, IGFET, impedance diody, indukčnost přechodu PN, izolant, izotropie, jev, dynatronový, JFET, činnost, kanál, šířka JFET, typu N, typu P, vodivý, zabudovaný, kapacita, bariérová, difúzní, PN přechodu, katoda, obrazovky kmitočet diody mezní, kolektor, kondenzátor, nelineární, konstrukční uspořádání JFET, křemík, křížiště, laterální konvergenční magnet, magnetodioda, magnetorezistor, materiálová konstanta, MCT, MESFET, MIR - Mid Infrared, MISFET, MNOSFET, model unipolárního tranzistoru, monokrystal, MOSFET, s indukovaným kanálem, s vodivým kanálem, teplotní závislost, MOV, metal-oxidový varistor, mřížka hradicí, obrazovky, řídicí, stínicí, náboj prostorový, napětí, difúzní, UP, v propustném směru, v závěrném směru, zaškrcení kanálu, Zenerovo, napětí saturační, tranzistoru, NIR - Near Infrared, NMOS, nosič náboje, majoritní, menšinový, minoritní, většinový, NPN, NTCR, oblast, náběhového proudu, nasyceného proudu, ochuzená, ochuzená JFET, pracovní tranzistoru, prostorového náboje, saturace, obrazovka, barevná, obvod, mřížkový, pasivní tvarovací, žhavicí, odpor, řízený napětím, ochrana stínítka, ochuzená vrstva, omezovač, paralelní, sériový, souměrný, ostření svazku elektronů, parametr, admitanční, pás, valenční, vodivostní, zakázaný, pentoda, PIN, polarizovaná propustně, polarizovaná závěrně, PMOS, PNP, polovodič, organický, oxidový, typu N, typu P, vlastní, polykrystal, pracovní bod BJT, nastavení, prahové napětí, MOSFET, prahové napětí MOSFET, proud, přídržný, špičkový závěrný, vratný, zbytkový, průraz, bipolárních tranzistorů, diody, destruktivní, nedestruktivní, druhý, elektrickým polem, lavinový, povrchový, tepelný, tranzistoru, tranzistoru MOSFET, tunelový, Zenerův, prvek, polovodivý, první aktivační teplota, přechod báze-emitor, kolektor-báze, kov-polovodič, PN, přímka zatěžovací, PTC termistor, PTCR, radiální konvergenční jednotka, rekombinace, režim, obohacení, ochuzení, rovnice Shockleyeho, SCR, schopnost usměrňovací, silistor, sloučenina polovodivá, source, spínací napětí U(BO), spínač analogový, spínání induktivních zátěží, stabilizátor napětí, strmost, struktura NPT, struktura PT, špičkový proud, neopakovatelný propustný, opakovatelný, technologie, CMOS, difúzní, difúzní planární, planárně epitaxní, teplota aktivační, teplota přechodů tranzistoru, teplotní koeficient, teplotní závislost, termistor, perličkový, s metalizovanými kontakty, tetroda, transil, tranzistor, bipolární funkce, bipolární režimy činnosti, CoolMOS, čtyřpólový parametr, DMOS, IGBT, mikrovlnný unipolární, řízený elektrickým polem, SIT, VMOS, vysokonapěťový, TrenchFET, triak, ochrana, spínání, vypínání, trinitron, trioda, triodová oblast, trisil, tryska elektronová, tyristor, čtyřvrstvá struktura, dvouhradlový, elektrody, fázové řízení, GaN, SiC, synchronní řízení, V-A charakteristika, usměrňovač, dvojcestný, jednocestný, varaktor, varikap, varistor, vazba kovalentní, velikost potenciálové bariéry, velikost prahového napětí, vertikální struktury FET, vlastnosti IGBT, vlastnosti usměrňovací, vodivost, nevlastní, děrová, elektronová, vlastní, vrstva, depletiční, vychylování elektrostatické, vychylování magnetické, výkonová ztráta, výkonový tranzistor JFET, výkonový tranzistor MOSFET, vypínací tyristor GTO, vypínací tyristor IGCT, vypínání tyristoru, V-A charakteristika, varistoru, zapojení SB, zapojení SC, zapojení SE, zdvih, kapacitní, zesilovací činitel, dynamický, proudový, statický, ZnO varistor, ztráta kolektorová PC, žhavení katody,