Stav zpracování titulu

• Archiv

obsah	download	reakce	odkazy	keywords

Tato kniha si klade za cíl přesvědčit uživatele výkonových spínačů všeho druhu (tj. diody, tyristory, triaky, bipolární výkonové tranzistory) o mnoha výhodách nových moderních výkonových součástek řízených polem a předat zkušenosti, které autoři shromáždili.

Stručný obsah

1. Základy polovodičové techniky
2. Etapy vývoje vertikálních výkonových tranzistorů MOS
3. Vlastnosti tranzistorů MOS
4. Chování výkonových tranzistorů MOSFET při spínání
5. Integrovaná inverzní dioda
6. Tranzistor IGBT
7. Inteligentní výkonové tranzistory MOSFET (SMART-FET)
8. Výkonové tranzistory MOSFET v praxi

Download

• podrobný obsah - ve formátu PDF
• ukázka knihy - ve formátu PDF

• update - zatím žádný není

Recenze lektorů a reakce čtenářů

• zatím žádné nejsou

Odkazy

• zatím žádné nejsou

Keywords

Základy polovodičové techniky, struktura a funkce výkonových tranzistorů řízených polem, Historie vývoje vertikálních výkonových tranzistorů MOS, Tranzistor VMOS, Tranzistor UMOS, Tranzistor DMOS, Tranzistor SIPMOS, Přehled nejdůležitějších tranzistorů MOSFET, Vlastnosti tranzistorů MOS, Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem U(BR)DSS a odpor mezi kolektorem a emitorem v sepnutém stavu RDS(on), Napětí hradlo-emitor UGS, Svodový proud hradlo-emitor IGS, Prahové napětí UGS(th), Kolektorový proud IDS, Strmost (přenosová vodivost) gfs, Stejnosměrný proud IDR a impulzní proud inverzní diody IDRM, Propustné napětí USD, Náboj a doba závěrného zotavení (Qrr a trr), Povolená pracovní oblast, Přechodová tepelná impedance ZthJC, Lavinový průraz (Odolnost vůči průrazu), Náboj hradla, Chování výkonových tranzistorů MOSFET při spínání, Integrovaná inverzní dioda, Tranzistor IGBT, Rozdíl od výkonového tranzistoru MOSFET, Základní struktury , Spínací vlastnosti, Inteligentní výkonové tranzistory MOSFET (SMART-FET), Vlastnosti inteligentních výkonových součástek s tranzistory MOSFET, Monoliticky vytvářené obvody SMART-FET, Obvody SMART-FET "čip na čipu" , TEMP-FET (Temperature Protected FET MOSFET s tepelnou ochranou), Inteligentní výkonový MOSFET (PRO-FET), Výkonové tranzistory MOSFET v praxi, Zacházení , Ochranná opatření, Výhodné způsoby řízení a řídicí IO , Vlastnosti ideálního řídicího obvodu, Hradla CMOS, vlastnosti, Komplementární emitorový sledovač, vlastnosti, Komplementární kolektorový budič, vlastnosti, Budicí stupeň "totem pole", vlastnosti, Jednoduchá transformátorová vazba, vlastnosti, Paralelní spojování tranzistorů MOSFET, Chlazení, Zásady použití výkonových tranzistorů MOSFET pro spínání induktivních zátěží, Indukčnost jako parazitní prvek, Indukčnost jako zátěž, Spínání uzemněné zátěže, Řízení otáček stejnosměrných motorů, Měniče umožňující provoz trojfázových motorů z jednofázové sítě, Elektronický předřadník pro zářivky, Spínané napájecí zdroje (SNZ) s výkonovými tranzistory MOS, Spínaný napájecí zdroj (SNZ) 220 230 V~/5 V, 20 A s výkonovými tranzistory MOS, Výkonový MOSFET jako řízený usměrňovač, Řízení motorku pro modely, Vysokonapěťové spínače s několika výkonovými tranzistory MOSFET v sérii, Kombinace bipolárních tranzistorů a tranzistorů MOS, Bipolární tranzistor vyrobený technologií MOS, Spínač střídavého proudu pro běžné použití, Výkonový zesilovač HiFi s tranzistory SIPMOS, Analogový spínač s nízkým odporem, Polovodičové relé s výkonovými tranzistory MOSFET, Výkonový operační zesilovač, Použití nízkovýkonových tranzistorů, Použití obvodů SMART-FET.

• obecná charakteristika
  slova
• obsah knihy
  obsah
• rejstřík knihy
  rejstříková slova
• integrované obvody
  označení integrovaného obvodu